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DOINGTER DOD639B
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | DOD639B |
| Código de Pieza EBEE | E842412129 |
| Paquete | TO-252-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | DOINGTER DOD639B | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel + P-Channel | |
| Configuración | - | |
| RDS (on) | 4.2mΩ@10V;10.2mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 148pF;225pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 55W | |
| Drain to Source Voltage | 40V;40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V;2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A;38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.38nF;3.119nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 230pF;237pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected];41nC@10V |
Guía de compra
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