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DOINGTER DOD617S
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | DOD617S |
| Código de Pieza EBEE | E842412125 |
| Paquete | TO-252-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | DOINGTER DOD617S | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel + P-Channel | |
| Configuración | - | |
| RDS (on) | 7.5mΩ@10V;19mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 95pF;130pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 22W;23W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V;1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A;22A | |
| Ciss-Input Capacitance | 890pF;1.05nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 119pF;140pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected];50nC@10V |
Guía de compra
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