| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | DOD100N04 |
| Código de Pieza EBEE | E842374600 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-252 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1422 | $ 0.7110 |
| 50+ | $0.1134 | $ 5.6700 |
| 150+ | $0.0990 | $ 14.8500 |
| 500+ | $0.0882 | $ 44.1000 |
| 2500+ | $0.0778 | $ 194.5000 |
| 5000+ | $0.0734 | $ 367.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | DOINGTER DOD100N04 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| Configuración | - | |
| RDS (on) | 5.5mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 223pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 142W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.777nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 266pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1422 | $ 0.7110 |
| 50+ | $0.1134 | $ 5.6700 |
| 150+ | $0.0990 | $ 14.8500 |
| 500+ | $0.0882 | $ 44.1000 |
| 2500+ | $0.0778 | $ 194.5000 |
| 5000+ | $0.0734 | $ 367.0000 |
