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Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DQG2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | YJD112010DQG2 |
| EBEE-Teilenummer | E820605590 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252 SiC Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DQG2 | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 13uA@1200V | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.54V@10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 85A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Einkaufsleitfaden
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