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HXY MOSFET HC3D10065A
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC3D10065A |
| EBEE-Teilenummer | E819723878 |
| Gehäuse | TO-220-2L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V Independent Type 1.5V@10A TO-220-2L SiC Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC3D10065A | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 60uA@650V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 90A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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