| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | YJD106510DQG2 |
| EBEE-Teilenummer | E820605567 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252 SiC Diodes ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3064 | $ 1.3064 |
| 10+ | $1.1020 | $ 11.0200 |
| 30+ | $0.9836 | $ 29.5080 |
| 100+ | $0.8515 | $ 85.1500 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD106510DQG2 | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 25uA@650V | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.55V@10A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 80A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3064 | $ 1.3064 |
| 10+ | $1.1020 | $ 11.0200 |
| 30+ | $0.9836 | $ 29.5080 |
| 100+ | $0.8515 | $ 85.1500 |
