Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen

Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30TD60BF


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NCE30TD60BF
EBEE-Teilenummer
E8502942
Gehäuse
TO-220F-3
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
-
Beschreibung
35.5W 60A 600V TO-220F-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>
203 Auf Lager für schnelle Lieferung
203 verfügbar für sofortige Lieferung
Kann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$1.4822$ 1.4822
10+$1.2683$ 12.6830
50+$1.1524$ 57.6200
100+$1.0183$ 101.8300
500+$0.9604$ 480.2000
1000+$0.9332$ 933.2000
Bester Preis für größere Mengen?
$
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieTransistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module
DatenblattWuxi NCE Power Semiconductor NCE30TD60BF
RoHS
Temperatur-55℃~+150℃@(Tj)
Typ-
Sammlerstrom (Ic)60A
Stromableitung (Pd)35.5W
Drehen? ab Verspätungszeit (Td(off))166ns
Drehen? zur Verspätungszeit (Td(on))19ns
Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben)600V
Eingangskamitanz (Cies-Vce)3.552nF@25V
Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic)5V@1mA
Gesamttorgebühr (Qg-Ic,Vge)132nC@30A,15V
Diode Reverse Recovery Time (Trr)178ns
Drehen? Abschalten von Verlust (Eoff)0.32mJ
Drehen? auf Schaltverlust (Eon)0.36mJ
Sammler-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Vge)1.7V@30A,15V
Diode-Forwardspannung (Vf-If)1.7V@30A

Einkaufsleitfaden

Ausklappen