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MASPOWER ESJ100SH60N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ESJ100SH60N |
| EBEE-Teilenummer | E837635852 |
| Gehäuse | FD7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | FD7 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $22.1222 | $ 22.1222 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| Datenblatt | MASPOWER ESJ100SH60N | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+125℃ | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 600V | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 3.5V@250uA | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 560nC@15V | |
| Td(off) | 250ns | |
| Td(on) | 120ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 280pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 180ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.9mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 5.85nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 200A | |
| Output Capacitance(Coes) | 780pF |
Einkaufsleitfaden
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