| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BT25T120CKR |
| EBEE-Teilenummer | E8696830 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 208W 50A 1.2kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8783 | $ 1.8783 |
| 10+ | $1.6250 | $ 16.2500 |
| 30+ | $1.4657 | $ 43.9710 |
| 100+ | $1.3028 | $ 130.2800 |
| 500+ | $1.2287 | $ 614.3500 |
| 1000+ | $1.1961 | $ 1196.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| Datenblatt | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT25T120CKR | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | - | |
| Sammlerstrom (Ic) | 50A | |
| Stromableitung (Pd) | 208W | |
| Drehen? ab Verspätungszeit (Td(off)) | 198ns | |
| Drehen? zur Verspätungszeit (Td(on)) | 34ns | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 1.2kV | |
| Eingangskamitanz (Cies-Vce) | 2.37nF@30V | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 5.8V@250uA | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Ic,Vge) | 145nC@25A,15V | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | - | |
| Drehen? Abschalten von Verlust (Eoff) | 0.95mJ | |
| Drehen? auf Schaltverlust (Eon) | 1.88mJ | |
| Sammler-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Vge) | 1.95V@25A,15V | |
| Diode-Forwardspannung (Vf-If) | 2.7V@25A |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8783 | $ 1.8783 |
| 10+ | $1.6250 | $ 16.2500 |
| 30+ | $1.4657 | $ 43.9710 |
| 100+ | $1.3028 | $ 130.2800 |
| 500+ | $1.2287 | $ 614.3500 |
| 1000+ | $1.1961 | $ 1196.1000 |
