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WeEn Semiconductors NXPSC10650B6J
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NXPSC10650B6J |
| EBEE-Teilenummer | E8602663 |
| Gehäuse | TO-263 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V Independent Type 1.5V@10A 10A D2PAK SiC Diodes ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | WeEn Semiconductors NXPSC10650B6J | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 250uA@650V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Current - Rectified | 10A |
Einkaufsleitfaden
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