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Vishay Intertech SI8806DB-T2-E1


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SI8806DB-T2-E1
EBEE-Teilenummer
E8727308
Gehäuse
XFBGA-4
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
12V 3.9A 43mΩ@4.5V,1A 500mW 400mV@250uA 1 N-channel XFBGA-4 MOSFETs ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$0.1996$ 0.1996
200+$0.0773$ 15.4600
500+$0.0745$ 37.2500
1000+$0.0733$ 73.3000
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
DatenblattVISHAY SI8806DB-T2-E1
RoHS
Temperatur-55℃~+150℃@(Tj)
Typ1 N-channel
Drain Quelle Spannung (Vdss)12V
Dauerdr.3.9A
Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id)43mΩ@4.5V,1A
Stromableitung (Pd)500mW
Torschwellenspannung (Vgs(th) Id)400mV@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)-
Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds)-
Gesamttorgebühr (Qg-Vgs)17nC@8V

Einkaufsleitfaden

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