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MDD(Microdiode Semiconductor) BSS123
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSS123 |
| EBEE-Teilenummer | E8427379 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 200mA 3.5Ω@10V 300mW 1V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0152 | $ 0.7600 |
| 500+ | $0.0123 | $ 6.1500 |
| 3000+ | $0.0102 | $ 30.6000 |
| 6000+ | $0.0091 | $ 54.6000 |
| 24000+ | $0.0084 | $ 201.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) BSS123 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 3Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -40℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 32pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 10pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.61nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 24000+ | $0.0084 | $ 201.6000 |
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