| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFBE30LPBF |
| EBEE-Teilenummer | E87211048 |
| Gehäuse | I2PAK |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 4.1A 3Ω@10V,2.5A 125W 4V@250uA 1 N-channel I2PAK MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2511 | $ 3.2511 |
| 200+ | $1.2979 | $ 259.5800 |
| 500+ | $1.2541 | $ 627.0500 |
| 1000+ | $1.2321 | $ 1232.1000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 4.1A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 3Ω@10V,2.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 125W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.3nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 78nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2511 | $ 3.2511 |
| 200+ | $1.2979 | $ 259.5800 |
| 500+ | $1.2541 | $ 627.0500 |
| 1000+ | $1.2321 | $ 1232.1000 |
