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VBsemi Elec VBZC8205B
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBZC8205B |
| EBEE-Teilenummer | E8700612 |
| Gehäuse | TSSOP-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 6.6A 960mW 1V@250uA 2 N-Channel TSSOP-8 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2837 | $ 1.4185 |
| 50+ | $0.2238 | $ 11.1900 |
| 150+ | $0.1982 | $ 29.7300 |
| 500+ | $0.1662 | $ 83.1000 |
| 3000+ | $0.1469 | $ 440.7000 |
| 6000+ | $0.1384 | $ 830.4000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBZC8205B | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 22mΩ@4.5V;32mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| Drain to Source Voltage | 25V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
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| 50+ | $0.2238 | $ 11.1900 |
| 150+ | $0.1982 | $ 29.7300 |
| 500+ | $0.1662 | $ 83.1000 |
| 3000+ | $0.1469 | $ 440.7000 |
| 6000+ | $0.1384 | $ 830.4000 |
