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VBsemi Elec VBZA4953
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBZA4953 |
| EBEE-Teilenummer | E8416343 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 7.3A 0.035Ω@10V,6.3A 2.5W 1V@250uA 2 P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.3032 | $ 3.0320 |
| 30+ | $0.2700 | $ 8.1000 |
| 100+ | $0.2278 | $ 22.7800 |
| 500+ | $0.1931 | $ 96.5500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBZA4953 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 29mΩ@10V;39mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 135pF | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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