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VBsemi Elec VBQA1102N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VBQA1102N |
| EBEE-Teilenummer | E8481046 |
| Gehäuse | DFN5x6-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 30A 5W 0.017Ω@10V,10A 3V@250uA 1 N-channel QFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4145 | $ 1.4145 |
| 10+ | $1.1770 | $ 11.7700 |
| 30+ | $1.0470 | $ 31.4100 |
| 100+ | $0.8200 | $ 82.0000 |
| 500+ | $0.7543 | $ 377.1500 |
| 1000+ | $0.7245 | $ 724.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VBQA1102N | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 17mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 11.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.47nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 132pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1+ | $1.4145 | $ 1.4145 |
| 10+ | $1.1770 | $ 11.7700 |
| 30+ | $1.0470 | $ 31.4100 |
| 100+ | $0.8200 | $ 82.0000 |
| 500+ | $0.7543 | $ 377.1500 |
| 1000+ | $0.7245 | $ 724.5000 |
