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TOSHIBA GT50JR22(S1WLD,E,S)
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GT50JR22(S1WLD,E,S |
| EBEE-Teilenummer | E82880445 |
| Gehäuse | TO-3P-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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2007 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6308 | $ 1.6308 |
| 10+ | $1.3625 | $ 13.6250 |
| 25+ | $1.0354 | $ 25.8850 |
| 100+ | $0.8702 | $ 87.0200 |
| 500+ | $0.7956 | $ 397.8000 |
| 1000+ | $0.7623 | $ 762.3000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| Datenblatt | TOSHIBA GT50JR22(S1WLD,E,S | |
| RoHS | ||
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 600V | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Td(off) | 330ns | |
| Td(on) | 250ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 350ns | |
| Input Capacitance(Cies) | 2.7nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 100A |
Einkaufsleitfaden
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2007 Stock for Shipping Fast
2007 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6308 | $ 1.6308 |
| 10+ | $1.3625 | $ 13.6250 |
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| 100+ | $0.8702 | $ 87.0200 |
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