| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TDM3421 |
| EBEE-Teilenummer | E8380228 |
| Gehäuse | PPAK-8(3x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 16A 29.8W 19mΩ 1.3V@250uA 1 Piece P-Channel PPAK-8(3x3) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2294 | $ 1.1470 |
| 50+ | $0.1800 | $ 9.0000 |
| 150+ | $0.1588 | $ 23.8200 |
| 500+ | $0.1324 | $ 66.2000 |
| 3000+ | $0.1110 | $ 333.0000 |
| 6000+ | $0.1040 | $ 624.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | Techcode TDM3421 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 32mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 170pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 29.8W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 999pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 220pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2294 | $ 1.1470 |
| 50+ | $0.1800 | $ 9.0000 |
| 150+ | $0.1588 | $ 23.8200 |
| 500+ | $0.1324 | $ 66.2000 |
| 3000+ | $0.1110 | $ 333.0000 |
| 6000+ | $0.1040 | $ 624.0000 |
