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Techcode Semicon TDM3412


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TDM3412
EBEE-Teilenummer
E8179164
Gehäuse
DFN-8-EP(3x3)
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
None
Beschreibung
30V 18A 20W 10.8mΩ@10V,10A 2.5V@250uA 2 N-Channel DFN-8-EP(3x3) MOSFETs ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$0.3141$ 0.3141
10+$0.2456$ 2.4560
30+$0.2163$ 6.4890
100+$0.1797$ 17.9700
600+$0.1634$ 98.0400
1200+$0.1536$ 184.3200
1800+$0.1516$ 272.8800
4200+$0.1502$ 630.8400
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
DatenblattTechcode TDM3412
RoHS
TypN-Channel
KonfigurationHalf-Bridge
RDS(on)17.5mΩ@4.5V
Betriebstemperatur --
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)22pF
Number2 N-Channel
Pd - Power Dissipation20W
Drain to Source Voltage30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Current - Continuous Drain(Id)18A
Ciss-Input Capacitance600pF
Output Capacitance(Coss)318pF
Gate Charge(Qg)12nC@10V

Einkaufsleitfaden

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