| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STPSC8H065DLF |
| EBEE-Teilenummer | E85271107 |
| Gehäuse | Power-FLAT8x8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | Power-FLAT8x8 SiC Diodes ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4384 | $ 3.4384 |
| 10+ | $3.3571 | $ 33.5710 |
| 30+ | $3.3019 | $ 99.0570 |
| 100+ | $3.2482 | $ 324.8200 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | STMicroelectronics STPSC8H065DLF | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 80uA@650V | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.55V@8A | |
| Current - Rectified | 8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 75A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4384 | $ 3.4384 |
| 10+ | $3.3571 | $ 33.5710 |
| 30+ | $3.3019 | $ 99.0570 |
| 100+ | $3.2482 | $ 324.8200 |
