| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STPSC10H065DLF |
| EBEE-Teilenummer | E85271106 |
| Gehäuse | Power-FLAT(8x8) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | Power-FLAT(8x8) SiC Diodes ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $6.7481 | $ 6.7481 |
| 10+ | $5.5667 | $ 55.6670 |
| 30+ | $4.9946 | $ 149.8380 |
| 100+ | $4.5152 | $ 451.5200 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,SiC Dioden | |
| Datenblatt | STMicroelectronics STPSC10H065DLF | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100uA@650V | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.55V@10A | |
| Current - Rectified | 10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 850A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $6.7481 | $ 6.7481 |
| 10+ | $5.5667 | $ 55.6670 |
| 30+ | $4.9946 | $ 149.8380 |
| 100+ | $4.5152 | $ 451.5200 |
