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STMicroelectronics STP4N150
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STP4N150 |
| EBEE-Teilenummer | E8457448 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.5kV 4A 7Ω@10V,2A 160W 3V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1+ | $3.7705 | $ 3.7705 |
| 10+ | $3.2609 | $ 32.6090 |
| 50+ | $2.9422 | $ 147.1100 |
| 100+ | $2.6157 | $ 261.5700 |
| 500+ | $2.4674 | $ 1233.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STP4N150 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 7Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 1.5kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@600V |
Einkaufsleitfaden
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