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STMicroelectronics STH3N150-2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STH3N150-2 |
| EBEE-Teilenummer | E8221471 |
| Gehäuse | H2PAK-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.5kV 2.5A 63W 9Ω@10V,1.3A 4V@250uA 1 N-channel H2PAK-2 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STH3N150-2 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 9Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -50℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 13.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 140W | |
| Drain to Source Voltage | 1.5kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 939pF | |
| Gate Charge(Qg) | 29.3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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