Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
STMicroelectronics STGW80H65DFB-4
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STGW80H65DFB-4 |
| EBEE-Teilenummer | E85268573 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 469W 120A 650V FS(Field Stop) TO-247-4 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>4 Auf Lager für schnelle Lieferung
4 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0045 | $ 3.0045 |
| 10+ | $2.9303 | $ 29.3030 |
| 30+ | $2.8823 | $ 86.4690 |
| 90+ | $2.8329 | $ 254.9610 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| Datenblatt | STMicroelectronics STGW80H65DFB-4 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 650V | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 5V@1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 469W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 414nC | |
| Td(off) | 336ns | |
| Td(on) | 75ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 215pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 112ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.7mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 10.524nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 300A | |
| Output Capacitance(Coes) | 385pF |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
4 Stock for Shipping Fast
4 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0045 | $ 3.0045 |
| 10+ | $2.9303 | $ 29.3030 |
| 30+ | $2.8823 | $ 86.4690 |
| 90+ | $2.8329 | $ 254.9610 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
