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STMicroelectronics STGD4M65DF2


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STGD4M65DF2
EBEE-Teilenummer
E8222118
Gehäuse
DPAK
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
68W 8A 650V FS(Field Stop) TO-252-2(DPAK) IGBT Transistors / Modules ROHS
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TypBeschreibung
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KategorieTransistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module
DatenblattSTMicroelectronics STGD4M65DF2
RoHS
Temperatur-55℃~+175℃@(Tj)
Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben)650V
Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic)5V@250uA
Pd - Power Dissipation68W
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate Charge(Qg)15.2nC
Td(off)86ns
Td(on)12ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)8pF
Reverse Recovery Time(trr)133ns
Switching Energy(Eoff)136uJ
Turn-On Energy (Eon)40uJ
Input Capacitance(Cies)369pF
Pulsed Current- Forward(Ifm)16A
Output Capacitance(Coes)24.8pF

Einkaufsleitfaden

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