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Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SGT50T65FD1PN |
| EBEE-Teilenummer | E82761787 |
| Gehäuse | TO-3P-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 650V | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 5V | |
| Pd - Power Dissipation | 235W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@15V | |
| Td(off) | 130ns | |
| Td(on) | 45ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 42pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 33ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 3.8mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 4.5nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | - | |
| Output Capacitance(Coes) | 100pF |
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