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STMicroelectronics STGB19NC60KDT4


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STGB19NC60KDT4
EBEE-Teilenummer
E8314017
Gehäuse
D2PAK
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
125W 35A 600V D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS
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10+$0.5367$ 5.3670
30+$0.4716$ 14.1480
100+$0.4065$ 40.6500
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1000+$0.3478$ 347.8000
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TypBeschreibung
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KategorieTransistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module
DatenblattSTMicroelectronics STGB19NC60KDT4
RoHS
Temperatur-55℃~+150℃@(Tj)
Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben)600V
Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic)2.75V@15V,12A
Pd - Power Dissipation125W
IGBT Type-
Gate Charge(Qg)55nC
Td(off)105ns
Td(on)30ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)28pF
Reverse Recovery Time(trr)31ns
Switching Energy(Eoff)255uJ
Turn-On Energy (Eon)165uJ
Input Capacitance(Cies)1.17nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)50A
Output Capacitance(Coes)127pF

Einkaufsleitfaden

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