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STMicroelectronics STD8N80K5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD8N80K5 |
| EBEE-Teilenummer | E8165934 |
| Gehäuse | TO-252-2(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 6A 110W 950mΩ@10V,3A 5V@100uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6376 | $ 2.6376 |
| 10+ | $2.2952 | $ 22.9520 |
| 30+ | $2.0804 | $ 62.4120 |
| 100+ | $1.8602 | $ 186.0200 |
| 500+ | $1.7609 | $ 880.4500 |
| 1000+ | $1.7165 | $ 1716.5000 |
| 2500+ | $1.6969 | $ 4242.2500 |
| 5000+ | $1.6828 | $ 8414.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD8N80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 6A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 950mΩ@10V,3A | |
| Stromableitung (Pd) | 110W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@100uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 450pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 16.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $2.2952 | $ 22.9520 |
| 30+ | $2.0804 | $ 62.4120 |
| 100+ | $1.8602 | $ 186.0200 |
| 500+ | $1.7609 | $ 880.4500 |
| 1000+ | $1.7165 | $ 1716.5000 |
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| 5000+ | $1.6828 | $ 8414.0000 |
