| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD7N80K5 |
| EBEE-Teilenummer | E8457497 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 6A 110W 0.95Ω@10V,3A 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1276 | $ 2.1276 |
| 10+ | $2.0770 | $ 20.7700 |
| 30+ | $2.0445 | $ 61.3350 |
| 100+ | $2.0120 | $ 201.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD7N80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 6A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.95Ω@10V,3A | |
| Stromableitung (Pd) | 110W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@100uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 360pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 13.4nC@640V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1276 | $ 2.1276 |
| 10+ | $2.0770 | $ 20.7700 |
| 30+ | $2.0445 | $ 61.3350 |
| 100+ | $2.0120 | $ 201.2000 |
