| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD64N4F6AG |
| EBEE-Teilenummer | E8157430 |
| Gehäuse | TO-252-2(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 54A 60W 8.2mΩ@10V,27A 4.5V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1397 | $ 1.1397 |
| 10+ | $0.9479 | $ 9.4790 |
| 30+ | $0.8520 | $ 25.5600 |
| 100+ | $0.7580 | $ 75.8000 |
| 500+ | $0.7012 | $ 350.6000 |
| 1000+ | $0.6728 | $ 672.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD64N4F6AG | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 40V | |
| Dauerdr. | 54A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 8.2mΩ@10V,27A | |
| Stromableitung (Pd) | 60W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4.5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.415nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 44nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1397 | $ 1.1397 |
| 10+ | $0.9479 | $ 9.4790 |
| 30+ | $0.8520 | $ 25.5600 |
| 100+ | $0.7580 | $ 75.8000 |
| 500+ | $0.7012 | $ 350.6000 |
| 1000+ | $0.6728 | $ 672.8000 |
