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STMicroelectronics STD5N60DM2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD5N60DM2 |
| EBEE-Teilenummer | E8500960 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 3.5A 1.38Ω@10V,1.75A 45W 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5911 | $ 0.5911 |
| 10+ | $0.5787 | $ 5.7870 |
| 30+ | $0.5698 | $ 17.0940 |
| 100+ | $0.5627 | $ 56.2700 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD5N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 3.5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 1.38Ω@10V,1.75A | |
| Stromableitung (Pd) | 45W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.5pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 214pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.5698 | $ 17.0940 |
| 100+ | $0.5627 | $ 56.2700 |
