37% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
STMicroelectronics STD4N80K5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD4N80K5 |
| EBEE-Teilenummer | E8472540 |
| Gehäuse | TO-252(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 3A 2.5Ω@10V,1.5A 60W 4V@100uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>382 Auf Lager für schnelle Lieferung
382 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8697 | $ 0.8697 |
| 10+ | $0.8019 | $ 8.0190 |
| 30+ | $0.7590 | $ 22.7700 |
| 100+ | $0.7151 | $ 71.5100 |
| 500+ | $0.6952 | $ 347.6000 |
| 1000+ | $0.6872 | $ 687.2000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD4N80K5 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 2.5Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 0.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 175pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@640V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
382 Stock for Shipping Fast
382 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8697 | $ 0.8697 |
| 10+ | $0.8019 | $ 8.0190 |
| 30+ | $0.7590 | $ 22.7700 |
| 100+ | $0.7151 | $ 71.5100 |
| 500+ | $0.6952 | $ 347.6000 |
| 1000+ | $0.6872 | $ 687.2000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
