| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD4LN80K5 |
| EBEE-Teilenummer | E8500957 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 3A 2.6Ω@10V,1A 60W 4V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2426 | $ 1.2426 |
| 10+ | $1.2142 | $ 12.1420 |
| 30+ | $1.1963 | $ 35.8890 |
| 100+ | $1.1786 | $ 117.8600 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD4LN80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.6Ω@10V,1A | |
| Stromableitung (Pd) | 60W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@100uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 0.3pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 122pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 3.7nC@640V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2426 | $ 1.2426 |
| 10+ | $1.2142 | $ 12.1420 |
| 30+ | $1.1963 | $ 35.8890 |
| 100+ | $1.1786 | $ 117.8600 |
