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STMicroelectronics STD25NF20
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD25NF20 |
| EBEE-Teilenummer | E8388326 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 18A 110W 0.125Ω@10V,10A 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.8385 | $ 8.3850 |
| 30+ | $0.7405 | $ 22.2150 |
| 100+ | $0.6442 | $ 64.4200 |
| 500+ | $0.5863 | $ 293.1500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD25NF20 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 125mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 940pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 197pF | |
| Gate Charge(Qg) | 39nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 100+ | $0.6442 | $ 64.4200 |
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