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STMicroelectronics STD16N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD16N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E8500952 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 12A 0.23Ω@10V,6A 6W 5V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1+ | $2.0402 | $ 2.0402 |
| 10+ | $1.8608 | $ 18.6080 |
| 30+ | $1.7481 | $ 52.4430 |
| 100+ | $1.6322 | $ 163.2200 |
| 500+ | $1.5814 | $ 790.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD16N65M5 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 230mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.25nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Gate Charge(Qg) | 31nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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