| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD134N4F7AG |
| EBEE-Teilenummer | E82971704 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 80A 134W 2.5mΩ@10V,40A 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2202 | $ 1.2202 |
| 10+ | $1.1879 | $ 11.8790 |
| 30+ | $1.1679 | $ 35.0370 |
| 100+ | $1.1464 | $ 114.6400 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD134N4F7AG | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3.5mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 60pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 134W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.79nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 890pF | |
| Gate Charge(Qg) | 41nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2202 | $ 1.2202 |
| 10+ | $1.1879 | $ 11.8790 |
| 30+ | $1.1679 | $ 35.0370 |
| 100+ | $1.1464 | $ 114.6400 |
