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STMicroelectronics STD12N65M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD12N65M2 |
| EBEE-Teilenummer | E8500948 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 8A 0.5Ω@10V,4A 85W 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3944 | $ 1.3944 |
| 10+ | $1.3618 | $ 13.6180 |
| 30+ | $1.3401 | $ 40.2030 |
| 100+ | $1.3185 | $ 131.8500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD12N65M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.5Ω@10V,4A | |
| Stromableitung (Pd) | 85W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.1pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 535pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 16.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $1.3618 | $ 13.6180 |
| 30+ | $1.3401 | $ 40.2030 |
| 100+ | $1.3185 | $ 131.8500 |
