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STMicroelectronics STD11N65M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD11N65M2 |
| EBEE-Teilenummer | E8500947 |
| Gehäuse | TO-252(DPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 7A 670mΩ@10V,3.5A 85W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD11N65M2 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 670mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 410pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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