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STMicroelectronics STD10N60M6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD10N60M6 |
| EBEE-Teilenummer | E83277921 |
| Gehäuse | DPAK(TO-252) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 6.4A 520mΩ@10V,3.2A 60W 4.75V@250uA 1 N-channel DPAK(TO-252) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4143 | $ 1.4143 |
| 200+ | $0.5483 | $ 109.6600 |
| 500+ | $0.5289 | $ 264.4500 |
| 1000+ | $0.5199 | $ 519.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD10N60M6 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 6.4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 520mΩ@10V,3.2A | |
| Stromableitung (Pd) | 60W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4.75V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.88pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 338pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 8.8nC@010V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.5289 | $ 264.4500 |
| 1000+ | $0.5199 | $ 519.9000 |
