| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD10LN80K5 |
| EBEE-Teilenummer | E8500946 |
| Gehäuse | DPAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 8A 630mΩ@10V,4A 110W 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8265 | $ 1.8265 |
| 10+ | $1.5887 | $ 15.8870 |
| 30+ | $1.4396 | $ 43.1880 |
| 100+ | $1.2870 | $ 128.7000 |
| 500+ | $1.2195 | $ 609.7500 |
| 1000+ | $1.1893 | $ 1189.3000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STD10LN80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 630mΩ@10V,4A | |
| Stromableitung (Pd) | 110W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@100uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 0.25pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 427pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 15nC@640V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8265 | $ 1.8265 |
| 10+ | $1.5887 | $ 15.8870 |
| 30+ | $1.4396 | $ 43.1880 |
| 100+ | $1.2870 | $ 128.7000 |
| 500+ | $1.2195 | $ 609.7500 |
| 1000+ | $1.1893 | $ 1189.3000 |
