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STMicroelectronics STB35N65DM2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB35N65DM2 |
| EBEE-Teilenummer | E85268669 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 32A 250W 0.093Ω@10V,16A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| 30+ | $2.7360 | $ 82.0800 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB35N65DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 93mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.54nF | |
| Gate Charge(Qg) | 56.3nC@520V |
Einkaufsleitfaden
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