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ROHM Semicon RGT50TM65DGC9
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | RGT50TM65DGC9 |
| EBEE-Teilenummer | E817610145 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 47W 21A 650V FS(Field Stop) TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8382 | $ 1.8382 |
| 200+ | $0.7338 | $ 146.7600 |
| 500+ | $0.7101 | $ 355.0500 |
| 1000+ | $0.6974 | $ 697.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| Datenblatt | ROHM Semicon RGT50TM65DGC9 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | FS(Field Stop) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 21A | |
| Stromableitung (Pd) | 47W | |
| Drehen? ab Verspätungszeit (Td(off)) | 88ns | |
| Drehen? zur Verspätungszeit (Td(on)) | 27ns | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 650V | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 2.1V@15V,25A | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Ic,Vge) | 49nC | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 58ns | |
| Drehen? Abschalten von Verlust (Eoff) | - | |
| Drehen? auf Schaltverlust (Eon) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.7101 | $ 355.0500 |
| 1000+ | $0.6974 | $ 697.4000 |
