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ROHM Semicon RGT50NS65DGTL
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | RGT50NS65DGTL |
| EBEE-Teilenummer | E8308739 |
| Gehäuse | TO-263-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 194W 48A 650V FS(Field Stop) TO-263-2 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5766 | $ 3.5766 |
| 10+ | $3.1185 | $ 31.1850 |
| 30+ | $2.8336 | $ 85.0080 |
| 100+ | $2.5397 | $ 253.9700 |
| 500+ | $2.0449 | $ 1022.4500 |
| 1000+ | $1.9865 | $ 1986.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| Datenblatt | ROHM Semicon RGT50NS65DGTL | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | FS(Field Stop) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 48A | |
| Stromableitung (Pd) | 194W | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 650V | |
| Eingangskamitanz (Cies-Vce) | - | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | - | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 58ns | |
| Drehen? auf Schaltverlust (Eon) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $2.8336 | $ 85.0080 |
| 100+ | $2.5397 | $ 253.9700 |
| 500+ | $2.0449 | $ 1022.4500 |
| 1000+ | $1.9865 | $ 1986.5000 |
