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ROHM Semicon RGT30NS65DGTL
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | RGT30NS65DGTL |
| EBEE-Teilenummer | E82688827 |
| Gehäuse | TO-263 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 133W 30A 650V FS(Field Stop) TO-263 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2789 | $ 4.2789 |
| 200+ | $1.6563 | $ 331.2600 |
| 500+ | $1.5993 | $ 799.6500 |
| 1000+ | $1.5689 | $ 1568.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| Datenblatt | ROHM Semicon RGT30NS65DGTL | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | FS(Field Stop) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 30A | |
| Stromableitung (Pd) | 133W | |
| Drehen? ab Verspätungszeit (Td(off)) | 64ns | |
| Drehen? zur Verspätungszeit (Td(on)) | 18ns | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 650V | |
| Eingangskamitanz (Cies-Vce) | - | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 2.1V@15V,15A | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Ic,Vge) | 32nC | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 55ns | |
| Drehen? auf Schaltverlust (Eon) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $1.5993 | $ 799.6500 |
| 1000+ | $1.5689 | $ 1568.9000 |
