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ROHM Semicon RGS80TS65DHRC11
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | RGS80TS65DHRC11 |
| EBEE-Teilenummer | E87493801 |
| Gehäuse | TO-247N |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 272W 73A 650V FS(Field Stop) TO-247N IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2868 | $ 5.2868 |
| 10+ | $4.5626 | $ 45.6260 |
| 30+ | $4.1322 | $ 123.9660 |
| 90+ | $3.6962 | $ 332.6580 |
| 510+ | $3.4963 | $ 1783.1130 |
| 990+ | $3.4045 | $ 3370.4550 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| Datenblatt | ROHM Semicon RGS80TS65DHRC11 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | FS(Field Stop) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 73A | |
| Stromableitung (Pd) | 272W | |
| Drehen? ab Verspätungszeit (Td(off)) | 112ns | |
| Drehen? zur Verspätungszeit (Td(on)) | 37ns | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 650V | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 2.1V@15V,40A | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Ic,Vge) | 48nC | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 103ns | |
| Drehen? Abschalten von Verlust (Eoff) | 1.03mJ | |
| Drehen? auf Schaltverlust (Eon) | 1.05mJ |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2868 | $ 5.2868 |
| 10+ | $4.5626 | $ 45.6260 |
| 30+ | $4.1322 | $ 123.9660 |
| 90+ | $3.6962 | $ 332.6580 |
| 510+ | $3.4963 | $ 1783.1130 |
| 990+ | $3.4045 | $ 3370.4550 |
