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RENESAS RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 |
| EBEE-Teilenummer | E83193702 |
| Gehäuse | TO-247A |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 312W 150A 650V TO-247A IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8423 | $ 13.8423 |
| 200+ | $5.3570 | $ 1071.4000 |
| 500+ | $5.1689 | $ 2584.4500 |
| 1000+ | $5.0767 | $ 5076.7000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| Datenblatt | RENESAS RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | - | |
| Sammlerstrom (Ic) | 150A | |
| Stromableitung (Pd) | 312W | |
| Drehen? ab Verspätungszeit (Td(off)) | 113ns | |
| Drehen? zur Verspätungszeit (Td(on)) | 29ns | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 650V | |
| Eingangskamitanz (Cies-Vce) | - | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 2V@15V,75A | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Ic,Vge) | 54nC | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 72ns | |
| Drehen? Abschalten von Verlust (Eoff) | 1mJ | |
| Drehen? auf Schaltverlust (Eon) | 1.6mJ |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8423 | $ 13.8423 |
| 200+ | $5.3570 | $ 1071.4000 |
| 500+ | $5.1689 | $ 2584.4500 |
| 1000+ | $5.0767 | $ 5076.7000 |
