Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
RENESAS RBN50H65T1FPQ-A0#CB0
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | RBN50H65T1FPQ-A0#CB0 |
| EBEE-Teilenummer | E83193701 |
| Gehäuse | TO-247A |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 250W 100A 650V TO-247A IGBT Transistors / Modules ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $10.1888 | $ 10.1888 |
| 200+ | $3.9428 | $ 788.5600 |
| 500+ | $3.8044 | $ 1902.2000 |
| 1000+ | $3.7369 | $ 3736.9000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,IGBT Transistoren / Module | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | - | |
| Sammlerstrom (Ic) | 100A | |
| Stromableitung (Pd) | 250W | |
| Drehen? ab Verspätungszeit (Td(off)) | 93ns | |
| Drehen? zur Verspätungszeit (Td(on)) | 20ns | |
| Durchlaufspannung der Vermittler (Vaben) | 650V | |
| Eingangskamitanz (Cies-Vce) | - | |
| Tor-Emitter Schwellenspannung (Vge(th) Ic) | 2V@15V,50A | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Ic,Vge) | 36nC | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 65ns | |
| Drehen? Abschalten von Verlust (Eoff) | 0.67mJ | |
| Drehen? auf Schaltverlust (Eon) | 0.83mJ |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $10.1888 | $ 10.1888 |
| 200+ | $3.9428 | $ 788.5600 |
| 500+ | $3.8044 | $ 1902.2000 |
| 1000+ | $3.7369 | $ 3736.9000 |
