| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SMMBFJ175LT1G |
| EBEE-Teilenummer | E8894335 |
| Gehäuse | SOT-23-3(TO-236-3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | P-channel 225mW 7mA@15V 125Ω 30V SOT-23-3(TO-236-3) JFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7898 | $ 0.7898 |
| 10+ | $0.6537 | $ 6.5370 |
| 30+ | $0.5847 | $ 17.5410 |
| 100+ | $0.5175 | $ 51.7500 |
| 500+ | $0.4775 | $ 238.7500 |
| 1000+ | $0.4576 | $ 457.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,JFET | |
| Datenblatt | onsemi SMMBFJ175LT1G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 11pF@10V | |
| Ableitung von Gesamtgeräte (Pd) | 225mW | |
| Drain Current (Ids-Vds,Vgs-0) | 7mA@15V | |
| FET Typ | P-channel | |
| Statische Drain-Quelle gegen Widerstand (RDS(on)) | 125Ω | |
| Tor-Quellen-Däsbruchspannung (V(BR)GSS) | 30V | |
| Tor-Quelle Cutoff Voltage (VGS(off)-ID) | 3V@10nA |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7898 | $ 0.7898 |
| 10+ | $0.6537 | $ 6.5370 |
| 30+ | $0.5847 | $ 17.5410 |
| 100+ | $0.5175 | $ 51.7500 |
| 500+ | $0.4775 | $ 238.7500 |
| 1000+ | $0.4576 | $ 457.6000 |
