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onsemi SGL160N60UFDTU
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SGL160N60UFDTU |
| EBEE-Teilenummer | E811757 |
| Gehäuse | TO-264-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 250W 160A 600V TO-264-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Datenblatt | onsemi SGL160N60UFDTU | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 3.5V@80mA | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| IGBT Type | - | |
| Gate Charge(Qg) | 345nC | |
| Td(off) | 90ns | |
| Td(on) | 40ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 200pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 50ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.76mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2.5mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 5nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 280A | |
| Output Capacitance(Coes) | 600pF |
Einkaufsleitfaden
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