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onsemi MMBTH10LT3G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MMBTH10LT3G |
| EBEE-Teilenummer | E8896780 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 25V 225mW 60@4mA,10V NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0828 | $ 0.0828 |
| 200+ | $0.0321 | $ 6.4200 |
| 500+ | $0.0309 | $ 15.4500 |
| 1000+ | $0.0304 | $ 30.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar RF Transistors | |
| Datenblatt | onsemi MMBTH10LT3G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | - | |
| Stromableitung (Pd) | 225mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 25V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 60@4mA,10V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 650MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 500mV@4mA,400uA | |
| Transistortyp | NPN |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.0304 | $ 30.4000 |
